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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。这种镀膜剂在使用中，j基团会被紫外线分解，附着在上面的硅元素也随之脱落。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,组织不致密。

物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法 ：

1、从沉积粒子能量（中性原子）来看，真空蒸镀为0.1-1eV，溅射为1-10eV，离子镀为0.1-1eV（此外还有高能中性原子）。

2、从沉积速率来看，真空蒸镀为0.1-70μm/min，溅射为0.01-0.05μm/min(磁控溅射接近于真空蒸镀)，离子镀为0.1-50μm/min。

真空镀膜的形式：蒸发镀膜

工艺原理：

1）在真空室中，膜料被加热变成蒸发原子，蒸发原子在真空条件下不与残余气

体分子碰撞而到达工件表面；

2）蒸发原子与基材碰撞后一部分被反射，另一部分被吸附；

3）吸附原子在基材表面发生表面扩散。